中国国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西安电子科技大学芜湖研究院试制成功，这代表着今后国内各大芯片企业生产在5G通信芯片时，可望使用上中国国产材料。

　　据指出，氮化镓半导体材料具有宽频隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越理化性质。成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后，制造新一代微电子器件和电路的关键材料，特别适合于高频率、大功率、高温和抗辐照电子器件与电路的研制。

　　西安电子科技大学芜湖研究院凭借着西电宽频隙半导体技术国家重点学科实验室，研发出全中国国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料，目前在国际第三代半导体技术领域处于领先地位，将有助5G通信制造领域的国产化进程。

　　西电芜湖研究院技术总监陈兴表示，目前研究院已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力。接下来他们将尽快将这项技术商用，争取早日推向市场。