在各家业者抢攻AI市场之际，美光也不落人后，近日推出第二代HBM3DRAM内存，不仅内存容量更大且计算速度更快，可望满足大规模（LLM）的计算需求。

    美光表示第二代HBM3DRAM内存的样品已在近日出货给少数客户。研究机构TIRIASResearch估计若客户端测试顺利，内建美光第二代HBM3DRAM内存的CPU及GPU最快将在今年底或明年初问世。

    回顾2013年美光首度推出HBM内存至今已过10年，这段期间云端市场快速起飞，不断提高数据中心的计算需求。生成式AI问世以来，大规模的计算需求快速扩大，逐渐超越内存升级速度。

    美光虽然落后其他同业1年左右才推出HBM3DRAM内存，但这次可望靠第二代产品扳回一城。第二代HBM3DRAM内存不仅容量扩大50％，性能也是上一代的2.5倍，计算速度也提升50％，有助缩短大规模的训练时间。

    美光上一代HBM3DRAM内存已经广泛应用在众家芯片产品，包括超微、英特尔的CPU芯片，以及超微、英特尔、英伟达的GPU芯片。超微针对AI市场最新推出的MI300XGPU芯片就是采用美光上一代HBM3DRAM内存。