我国科学家研发出超薄高能效光学芯片“转角菱方氮化硼”（简称TBN）。该成果由北京大学王恩哥院士团队领衔完成，发布在国际顶级学术期刊《自然·光子》上。

　　TBN是一种新型的光学芯片，具有超薄、高能效、易制备等优点。与传统的光学芯片相比，TBN的厚度可以达到100纳米以下，而其光学性能却几乎与传统的光学芯片相当。此外，TBN的能量损耗率也非常低，仅为传统光学芯片的1/10。

　　TBN的研发，为新一代激光技术提供了新的光学材料基础。TBN可以用于制造高性能的激光器、光探测器等器件，具有广泛的应用前景。