台积电4月16日召开线上法说会，董事长魏哲家宣布，为应对AI强劲需求，公司破例在全球加速扩增3纳米N3制程产能。财务长黄仁昭预期，2026年资本支出将接近520亿至560亿美元区间上缘，折合人民币约3744亿至4032亿元。

魏哲家表示，去年第四季量产的2纳米N2制程良率良好，正在新竹和高雄厂区分阶段扩产，受惠智能手机、AI及HPC强劲需求。N2系列将成为下个大规模长期需求制程。

3纳米方面，过往某节点产能达标后通常不再新增，但此次因AI需求，台积电加大全球投资。具体布局：南科新增1座3纳米厂，预计2027年上半年量产;美国亚利桑那二厂采用3纳米，2027年下半年量产;日本JASM熊本二厂导入3纳米，2028年量产。中国台湾地区持续将5纳米产能转换为3纳米，并优化N7、N5与N3间的弹性支持。

魏哲家强调，目前产能不能在客户间做选择或偏袒任何一方。

成熟制程方面，台积电在JASM熊本一厂及德国ESMC扩产，支持CMOS影像传感器、车用及工业需求，同时计划逐步缩减6寸晶圆二厂及8寸氮化镓晶圆五厂。

对于1.4纳米A14制程，魏哲家透露采用第二代纳米片芯片管结构，速度在相同功耗下提升10%至15%，或功耗效率提升25%至30%，芯片密度提升近20%。A14预计2028年试产，已观察到智能手机与HPC客户的高度兴趣。