外媒引述消息人士指出，三星电子生产的第五代高带宽内存芯片（HBM3E）已通过英伟达测试，可望在近日签约，最快今年第四季开始为英伟达供货，意味着三星正一步步赶上对手SK海力士的脚步。这项消息激励三星股价在7日收盘上涨3.0％，超越大盘的1.8％涨幅。

　　消息称三星这回通过英伟达测试的是8层HBM3E芯片，但三星生产的12层HBM3E尚未通过测试。

　　HBM是2013年问世的DRAM芯片规格，能将内存层层堆叠以节省空间并提高节能效率，成为AI处理器重要元件。自从英伟达AI处理器需求爆量后，全球内存大厂积极争取成为英伟达供应商，但三星进度落后SK海力士及美光。

　　外媒今年5月曾报导，三星自去年便努力想成为英伟达HBM3供应商，无奈其生产的HBM3及HBM3E因过热及耗电问题，迟迟无法通过英伟达测试。三星为此重新调整芯片设计，终于让HBM3在近日通过英伟达测试，将应用于英伟达针对中国市场推出的H20处理器。

　　对此消息，三星稍早声明表示，三星产品确实依照进度测试中，目前“正与不同客户合作测试且过程相当顺利”，但并未正面回应有关英伟达测试的传闻。

　　半导体研究机构SemiAnalysis创办人派特尔表示：“三星仍在追赶HBM技术进度。尽管三星可望在第四季开始出货8层HBM3E，但SK海力士已经要出货12层HBM3E。”

　　目前SK海力士是英伟达主要HBM供应商，美光也将为英伟达供应HBM3E，但随着AI需求持续扩大且HBM渐成主流，未来三星仍有许多发展空间。

　　三星预期今年第四季前旗下HBM芯片营收将有60％来自HBM3E。外媒调查分析师估计今年上半三星DRAM部门营收约22.5兆韩元（约164亿美元），其中约10％来自HBM。